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중국 우한, 메모리기지인 광학밸리에 5년내 240억불 투자

발행일 : 2016 / 04 / 06

3월 28일 국가메모리기지 착공식이 중국 우한(武漢) 옵티컬밸리(Optical vally)에서 열렸다. 기지 건설에는 Chip제조, 산업체인 부대시설이 포함되며, 미래 5년 내에 240억 달러(약 1,600억 위안) 투자 목표로 2020년까지 월 30만개의 메모리칩을 양산하고자 한다.

2015년, 중국은 메모리 발전을 국가전략산업으로 재조정했다. 2006년 후베이성(湖北省), 우한시 옵티컬밸리에 투자건설된 우한신신(武漢新芯) 12인치 웨이퍼 제조프로젝트는 10년간의 발전을 거쳐 현재 중국 직접회로 산업밀집지역 중 하나로 되었다.

직접회로는 중국 최대 단일수입제품이고 메모리는 최대 직접회로제품이다. 2013년 중국 직접회로 수입제품 중 1/3은 메모리로 총 수입액이 717억 달러에 달한다.

현재, 세계 메모리산업은 발전전환기에 들어섰고 전통 Chip 제조공정은 한계에 이르렀으며 신형메모리기술 양산화까지는 아직도 5~10년 시간이 더 필요하다. 따라 입체적재 Flash 공법개발을 이용한 Chip 집성도 제고가 국제 대형기업들의 주요 공정으로 되었다. 우한신신의 앞선 배치는 중국 메모리산업 발전에 새로운 기회를 제공하고 있다.

보도에 따르면 기지프로젝트는 Chip 제조를 돌파구로 메모리 제품설계, 기술 연구개발, 웨이퍼 생산 및 테스트, 판매를 통합하여 옵티컬밸리에서 이미 규모화를 실현한 디스플레이산업(톈마(天馬), 화싱광뎬(華星光電)), 스마트단말기산업(화웨이(華爲), 레노버, 폭스콘)을 기반으로 만 억급의 Chip-디스플레이-스마트단말기 전반 산업체인 생태체계를 구축하여 우한 옵티컬밸리를 중국 나아가 세계 최고의 전자정보산업기지로 구축할 계획이다.