| KAIST开发出无损检测的半导体晶圆厚度分析设备 | ||
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12月19日，韩国科学技术院(KAIST)表示，机械工学专业李正哲(音)教授研究组开发出了利用近红外线干涉效果，可以检查硅薄膜结构的"晶圆无损分析设备"。该研究结果刊登在7月14日的国际学术期刊《Advanced Engineering Materials》上。
研究组为了无损测定具有1微米级厚度的硅薄膜结构厚度，开发了近红外线干涉显微镜。研究组考虑到硅光特点和光的干涉长度，设计和建造了近红外线测量设备。开发显微镜测定了1微米以下的单层薄膜结构，偏差小于100纳米。同时，还提出了因多重反射而产生的虚拟界面的特定方法，成功测定了隐藏在多层硅薄膜结构中的硅薄膜厚度。
通过此次研究，不仅成功测定了硅薄膜结构，还成功测定了功能性晶圆--绝缘层上硅(SOI)晶片上的硅和内部氧化膜厚度。可以适用于多种半导体元件的无损检测。
通过波长选择，不仅可以适用于硅，还可以适用于锗等其他半导体物质的无损检测。可以适用于判断半导体工程中元件缺陷的实时无损检测。
李正哲教授表示："开发的技术使用广泛使用的红外线光源，以无损方式测定半导体物质内部结构，这一点与现有方法有所不同。具有安全、精密等优点，将带来提高半导体材料及元件检测速度的效果，为半导体相关产业和生活发展做出贡献"。
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发布机构: 韩国网络媒体->电子新闻
发布时间：2022.12.19
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