• 첨부파일 20211122기술전략중국-국가-3세대-반도체-기술-혁신-후난湖南센터-설립.pdf

▣ 광동성(廣東), 장쑤성(江蘇)에 이어 3번째로 국가 3세대 반도체 기술 혁신 후난(湖南)센터를 설립 (11.22)
● 최근 중국 반도체 산업에 대한 미국 기술 제재로 인해 중국 3세대 반도체 소재 산업이 더욱 주목을 받게 될 전망
– 2020년 세계 반도체 산업 총 수입액은 4,123억 달러이며, 그 중 미국이 47%, 한국이 19%, 중국이 5%를 차지하는 등 아직 중국의 기술의 격차가 큰 편임
– 그러나 3세대 반도체 소재인 탄화규소(SiC)*와 질화칼륨(GaN)*관련 중국 특허가 5,232건에 달하고 있어 향후 중국의 발전 가능성이 높을 것으로 예측
* 탄화규소는 주로 신에너지 자동차, 태양광, 궤도교통, 항공우주, 5G 통신, 레이더에 사용되고 질화칼륨은 주로 5G 기지국, 데이터 센터에 사용

● 중부 지역 반도체 핵심지인 후난성의 성도 창사(長沙)시에서 지역 센터를 설립하여3세대 반도체 장비 선도 기술 및 산업 핵심기술을 강화할 예정
– (목표) ’25년까지 연간 생산액이 100억 위안,’30년까지 연간 생산액이 1,000억 위안에 도달하고 장비 설계 발전, 핵심기술 자주화, 장비 공정 일체화, 제조 과정 스마트화 실현
– 3세대 반도체 부품의 수요에 따라 장비 핵심기술, 기술 연구개발 및 산업 인큐베이팅 플랫폼, 수준 높은 인재팀 등을 추진하여 3세대 반도체의 협동 혁신생태 조성
– 국내 최고 수준의 3세대 반도체 장비 기술 혁신 플랫폼 및 3세대 반도체 장비 성과 이전과 산업 인큐베이팅 플랫폼 구축, 장비를 특색으로 하는 3세대 반도체 산업 클러스터 조성