| 닝보 소재기술연구소, 신형 강유전성 재료 개발 | ||
|
||
|
□ 강유전성 재료 개발로 메모리 칩의 비용 절감 및 웨어러블 장치 극대화(6.7)
○ 중국과학원 닝보소재연구소는 메모리 칩의 신뢰성과 내구성을 크게 향상시킬 수 있는 신형 2차원 적층 슬립 강유전성 재료(3R-MoS2)를 개발
- 연구진은 전통적인 강유전성 물질의 '이온 이동'을 대체할 수 있는 ‘층간 슬립’ 구조를 혁신적으로 제시하고, AI 보조기술에 기반한 원자 시뮬레이션 분석을 통해 피로 저항의 메커니즘 규명
- 두께가 나노미터급에 이르는 2차원 적층 슬립 강유전성 재료(3R-MoS2)를 개발해 해당 재료로 만든 메모리 칩은 400만 회의 이용 사이클에도 피로파괴(fatigue failure)가 없음
- 이 기술은 웨어러블 장치 뿐만 아니라 항공 우주 및 심해 탐사 등 극한 환경 응용 분야에서 중요한 역할을 할 것으로 전망되며, 관련 논문은 Science에 게재
* Developing fatigue-resistant ferroelectrics using interlayer sliding switching
 <참고자료>
科学家创制出无疲劳铁电材料有望实现存储器无限次数擦写
中国科学家开发出新材料，可实现存储芯片无限次擦写
|
SEARCH
- 정책동향
- 이슈리포트
- 통계DB
- 통계DB