| 탄화규소 소자 제조 핵심 장비 개발에서의 중대성과 | ||
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 최근, 중국전자과학기술그룹회사 제48연구소가 이끄는 공동연구팀은 중국국가첨단기술연구발전계획(863 계획)의 지원에 의해 4~6인치 탄화규소(SiC) 소재 및 소자 제조에 적합한 고온 고에너지 이온 주입기, 단결정 성장로(Single crystal growth furnace), 에피택셜 성장로(Epitaxial growth furnace) 등 핵심 장비개발에 성공하여 SiC 전력전자 소자 산업 "재료-장비-소자"의 자체 제어 가능한 발전에 강유력한 보장을 제공하였다. SiC를 대표로 하는 3세대 반도체 산업은 글로벌 전략적 경쟁의 새로운 목표이다. SiC 소자는 아주 높은 내압 수준 및 에너지 밀도를 보유하고 있기에 에너지 전환 소모 및 장치의 부피와 무게를 효과적으로 감소시킬 수 있다. 또한 전력 전송, 기관차 견인, 신에너지 자동차, 현대 국방 무기 장비 등 중대 전략 분야의 고성능, 대출력 전력전자 소자 요구에 적합하기에 "신에너지 혁명"을 이끄는 "녹색 에너지" 소자이다. SiC 소자 핵심 장비의 성공적 개발은 전체 산업사슬의 자체 보장 해결, 생산라인 구축 및 운영원가 감소, 산업 기술 진보 및 빠른 발전 추진 등 면에서 중대한 추진 작용이 있다. 정보출처 : http://digitalpaper.stdaily.com/http_www.kjrb.com/kjrb/html/2018-06/28/content_397923.htm?div=-1 |
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