| 인공 반강자성체 제조 | ||
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 최근, 중국과학기술대학 허페이(合肥)미규모물질과학국가실험실 교수 우원빈(吳文彬) 프로젝트팀은 독일 과학자와 공동으로 전산화물 에피택시(Epitaxy) 시스템 기반 인공 반강자성체를 최초로 제조하였으며 또한 외부 자기장에 따른 단계적 자화 반전모드를 관찰하였다. 이는 산화물 스핀트로닉스(Spintronics) 분야에서 거둔 중요한 성과이다. 해당 연구 성과는 최근의 "Science" 저널에 게재되었다. 인공 반강자성체는 자기 랜덤 액세스 메모리(Magnetic random access memory, MRAM) 등 다양한 종류의 스핀트로닉스 소자의 중요한 구성 부분일 뿐만 아니라 반강자성 재료 기초 문제를 연구하는 중요한 운반체이다. 20세기 80년대 말, 인공 반강자성체에서 거대 자기저항 효과의 발견은 스핀트로닉스의 탄생을 촉진함과 아울러 상업적 자기 기억(Magnetic storage) 등 분야에서의 성공적 응용은 현재 클라우드 스토리지(Cloud Storage) 및 클라우드 컴퓨팅(Cloud computing) 등 신흥산업의 발전에 토대를 마련하였다. 기존에 인공 반강자성체 재료, 물리 및 소자에 관한 연구에서 주로 전이 금속 및 그 합금 재료를 연구하였지만 전산화물 인공 반강자성체를 제조하지 못하였다. 연구팀이 이번에 제조한 반강자성체에서 뚜렷한 반강자성 층간 교환 결합 효과를 발견하였고 최초로 표층 및 내부 각 자성 층의 단계적 자화 반전 모드를 관찰하였으며 결합 강도가 각 층의 두께 및 온도에 따른 변화 규칙 및 가능한 결합 메커니즘을 규명하였다. 독일 Forschungszentrum Juelich 연구원 쑤이시(Yixi Su)는 뮌헨(Munich)의 고속 중성자로 및 관련 고민감도 중성자분광계 테스트를 통하여 해당 전산화물 에피택시 시스템의 인공 반강자성체에 존재하는 반강자성 결합상태를 검증하였다. 본 연구는 산화물 스핀트로닉스의 발전에 중요한 추진 작용을 일으킴과 아울러 기능성 산화물 계면에 대한 심층적 탐구에 새로운 플랫폼 및 아이디어를 제공하였으며 또한 기타 산화물 다층막 개발에 기반을 마련하였다. 정보출처 : http://www.stdaily.com/index/kejixinwen/2017-07/18/content_560790.shtml |
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