| 중국이 4번째로 25T급 초전도 자석 개발 | ||
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 최근, 중국과학원 전기공학연구소 왕치우량(王秋良) 연구팀은 자체 개발한 내삽입식 초전도 자석기술을 이용하여 중국 첫 25T급 초전도 자석을 제작하였다. 이로써 중국은 일본이화학연구소(27.6T), 미국국가강자기장실험실(American National Magnetic Field Laboratory)(27.0T), 한국서남초전도체회사(26.4T)에 이어 세계에서 4번째로 25T급 초전도 자석을 제작한 나라로 되었다. ReBCO초전도 자석은 기타 고온 초전도 선재 제작에 사용된 내삽입식 초전도 자석기술에 비해 더 높은 임계 자기장과 임계 전류를 보유하고 있으며 운행 안정성이 높아 더 쉽게 초고 자기장을 얻을 수 있다. 하지만 ReBCO선재의 계층적 구조는 초고 자기장에서 응력 집결로 인한 분층 현상이 발생하여 자석체가 파괴되기 때문에 안정적으로 운행할 수 없다. 연구팀은 ReBCO 초고 자기장 내삽입식 자석체 응력 집결 문제에 대비해 정교한 래싱(lashing) 장치를 이용해 자석체 외층 도선을 보호하고 분급적인 설계를 통해 단자 부 코일의 안전 한계를 증가시킴으로써 내삽입식 자석체의 운행 한계를 대폭 증가시켰다. 테스트 결과 액체 헬륨 조건에서 내삽입식 자석체의 운행 전류가 194.5A에 달하였으며 15T의 초전도 배경 자기장에서 10.7T의 중심 자기장을 생성하여 중심 자기 마당의 세기가 25.7T인 완전 초전도 자석을 구현하였다. 25.7 T급 초고 자기장의 구현은 중국이 고자기장 내삽입식 자석체 기술에서 세계 선두에 있음을 의미한다. 또한 30T급 고자기장 과학 설비와 GHz급 스펙트럼 자석체의 연구 개발에 유력한 기반을 다졌다. 정보출처 : http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2017/5/377040.shtm |
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