| 시안광학정밀기계연구소, 고효율․고출력 반도체 레이저칩 개발 | ||
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 최근에 시안(西安)광학정밀기계연구소 양궈원(楊國文) 연구원이 담당하고 있는 12차5개년계획의 '일삼오(一三五)' 자율 배치 프로젝트-'고효율, 고출력 반도체 레이저칩 연구'는 1년간의 기술적 어려움을 극복하고 획기적인 성과를 거두었다. 중국 최초로 고효율․고출력 칩 설계, 저응력, 저결함 재료 및 소자의 제조공법, 고손상 문턱값 레이저 캐비티 표면처리, FMA 고장 메커니즘 분석 등 핵심기술을 파악하였으며 4가지 고급 반도체 레이저칩을 독자적으로 개발하였다. 그중, 100W급 반도체 레이저칩의 전기광학 변환효율은 국제 최고수준에 달하였으며 국제 동급 소자의 성능지표를 초과하였다. 연구팀은 20여개 고효율․고출력 반도체 레이저칩을 개발하였고 SCI논문 2편을 발표하였으며 특허 9개를 신청하였다. 해당 프로젝트는 최근의 최종검수에 통과되었다. 고출력 반도체 레이저칩은 전반 레이저 가공 산업사슬의 기반이자 근원이며, 레이저 시스템의 소형화, 경질화와 안정적 출력의 전제․담보로 되며, 또 선진제조, 의료미용, 우주항공, 안전보호 등 영역에서 광범위하게 응용된다. 유럽과 미국 등 선진국들은 고출력, 고효율 반도체 레이저칩 연구 분야에서 세계 선두를 달리고 있다. 현재 중국의 실용적인 고출력 반도체 레이저장치의 단일 튜브는 5W보다 크고 단일 바(bar)도 40W보다 크기에 거의 전부가 수입품에 의존하며 레이저기술 산업발전을 심각하게 제약하였다. '고효율․고출력 반도체 레이저칩 연구' 성과는 중국 고급 반도체 레이저칩이 장기간 수입품에 의존하는 형세를 개변시켰으며, '중국제조2025', '인터넷+' 등 국가 중대 응용수요에 핵심적 지원을 제공하였다. 정보출처 : http://ee.ofweek.com/2016-09/ART-8120-2808-30034778.html |
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