| 중국 첫 대형 단결정 실리콘 성장 설비 제조 | ||
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![]() ![]() 시안(西安)이공대학교와 시안에스윈(ESWIN)설비기술유한회사가 공동으로 개발한 중국 첫 차세대 대형 집적회로 단결정 실리콘 성장 설비가 성공적인 시험생산을 달성했다. 해당 설비의 단결정 실리콘봉은 길이가 2.1m이고 지름이 300mm(12인치)에 달하여 중국 최초로 칩 제조 분야에서 12인치 실리콘 웨이퍼 핵심 기술을 파악하였다. 실리콘 단결정봉의 생산은 먼저 고순도 다결정 실리콘을 석영 도가니에 넣고 1,400°C 이상으로 가열하여 실리콘 용액으로 녹인 다음 시드 결정을 실리콘 용융액에 담그고 시딩(Seeding), 숄더링(Shouldering), 숄더 확장(Shoulder expanding), 등지름 성장, 마감 등 단계를 통해 단결정 실리콘봉의 드로잉을 완성한다. 단결정 실리콘봉을 생산한 후, 결정봉을 300~400mm 길이의 실리콘 블록으로 절단한 다음 와이어 절단으로 약 1mm 두께의 웨이퍼를 얻은 다음 연마, 세척하여 고품질의 연마된 웨이퍼를 얻는다. 에스윈실리콘웨이퍼기술유한회사는 2018년부터 시안이공대학교와 협력하여 28nm 미만의 집적회로 칩 생산을 위해 무전위, 무원생결함, 초평탄 및 우수한 나노토포그래비(Nanotopography)의 12인치 실리콘 웨이퍼를 제조하였다. 또한, 실리콘 웨이퍼의 가공, 세척 및 에피택셜 서비스도 제공한다. 에스윈회사는 시안시에 실리콘 산업기지를 소유하고 있고 두 단계로 나누어 건설할 예정으로 1단계에서 월 50만 개 생산을 달성할 계획이다. 이번 대형 단결정 실리콘 성장 설비의 성공적인 제조는 중국의 집적회로 발전의 절박한 수요를 충족시키고 해외 의존도를 낮출 전망이다. 정보출처 : http://news.yesky.com/354/720861854.shtml?qq-pf-to=pcqq.group |

