| 세계 첫 FinFET N+1 공법 기반 칩의 테이프 아웃 성공 | ||
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  2020년 10월 11일, 신둥(芯動)마이크로전자과학기술유한회사(INNOSILICON)는 세계 첫 중신궈지(中芯國際, SMIC) FinFET N+1 선진 공법 기반 칩의 테이프 아웃(Tape out) 및 테스트를 완료했다. SMIC는 중국에서 규모가 가장 크고 가장 선진적인 기술을 보유한 집적회로 칩 제조 기업이다. "N+1" 공법은 SMIC가 제1세대 선진 공법의 14nm 칩을 규모화 생산한 후의 2세대 칩 제조 선진 공법으로서 기존의 14nm 칩 공법에 비해 성능이 20% 향상되었고 전력 소비가 57% 감소되었으며 논리적 면적이 63% 감소되었고 SoC 면적이 55% 감소되었는바 "중국 버전" 7nm 칩 기술로 불린다. N+1 세대 공법의 전력 소비 및 안정성은 7nm 칩 제조 공법과 매우 유사하지만 성능이 조금 낮기에(업계 표준에 비해 35% 향상) SMIC의 N+1 공법은 주로 저전력 소비 응용에 적합하다. SMIC는 향후 N+2 공법도 개발할 예정이다. N+1 공법과 N+2 공법은 전력 소비 면에서 거의 비슷하지만 성능 및 원가 면에서 차이가 있는바 N+2 공법은 고성능을 대상으로 하기에 원가가 증가될 전망이다. 정보출처 : https://new.qq.com/rain/a/20201012A00D3N00 |
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