| 톈진대학, 그래핀 반도체 생산기술 확보 | ||
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□ ‘그래핀 반도체’는 실리콘보다 10배 이상 빠른 속도 달성(1.5)
○ 중국 톈진대학 나노입자 및 나노시스템 국제연구센터 마레이(马雷) 연구팀은 미국 조지아공대 물리학과 월터 드 히어(Walter de Heer) 교수팀과 공동으로 그래핀 반도체 개발 성공
- 연구팀은 특수로(special furnaces)를 사용해 탄화규소 웨이퍼 표면에 에피택셜 그래핀을 성장시키는 방법을 도출하여 그래핀 밴드 갭(band gap) 문제를 해결
- 이 방법으로 제조된 그래핀 반도체는 약 600mm 전자 볼트의 밴드 갭과 최대 5500cm²의 실온 홀 이동도(hall mobility)를 보유
- 실리콘의 10배에 달하는 이동성을 가진 그래핀 반도체는 실리콘에서는 볼 수 없는 독특한 특성을 갖고 있으며 향후 양자 컴퓨터에도 응용할 것으로 기대
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