| 중국과학자, 첫 Semi-Floating-Gate Transistor개발 | ||
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 중국 복단대학교 마이크로전자대학* (School of Microelectronics of Fudan University) 장웨이(張衛, Zhang Wei)교수가 이끈 연구팀이 MOSFET 트랜지스터와 플로팅게이트(Floating Gate) 트랜지스터의 중간인 SFGT(Semi-Floating-Gate Transistor)를 개발했다. 2013년 8월 9일 『Science』지에는 ‘A Semi-Floating Gate Transistor for Low-Voltage Ultrafast Memory and Sensing Operation, Science. 341, 640 (2013)’ 제목으로 이 성과를 게재했다. 이는 중국과학자가 Science지에 발표한 첫번째의 독창적인 마이크로전자소자 관련 논문이다. MOSFET (산화막 반도체 전기장 효과 트랜지스터)는 현재 집적회로 가운에 기장 기본적인 소자인데, 실제 많이 활용되고 있는 USB 등 플래시메모리(Flash Memory)에는 플로팅게이트 트랜지스터를 더 많이 사용한다. 이번에 복단대학교 연구진은 전계효과 트랜지스터(TFET)와 플로팅게이트 트랜지스터를 결합시켜 새로운 SFGT(Semi-Floating-Gate Transistor)를 구성했다. SFGT는 높은 밀도와 낮은 소비전력의 장저을 지니고 있으며, 일부 SRAM 메모리를 대체할 수 있고 DRAM 메모리 분야 및 능동 픽셀 센서(APS) 분야에 활용될 수 있다. 장웨이 교수는 “이러한 분야에 중국이 독자적 지적재산권을 보유한 제품이 거의 없다‘고 소개했다. 저장 및 이미지센서 등 분야에 기조전자소자로서 SFGT (Semi-Floating-Gate Transistor)의 잠재적 응용시장규모가 300억 달러를 초과한다. SFGT를 통해 중국이 집적회로 핵심기술을 보다 더 쉽게 확보하여 국제 칩 디자인과 제조 분야에 위상을 높일 수 있다. 탄소나노튜브, 그래 핀 등 실험실에 개발된 신소재 기반 트랜지스터, SFGT (Semi-Floating-Gate Transistor)는 표준CMOS 기술을 기반으로 하는 마이크로전자소자이다. SFGT 원형이 복단대학교 실험실에 개발되고, 표준CMOS기술과 겸용하는 SFGT소자도 국내 생산라인에 이미 개발됐다. 장웨이 교수에 의하면, SFGT는 주류 집적회로 제조 기술도 포함함으로 좋은 산업화기반을 갖추고 있다. 그런데 핵심특허를 확보한다고 해서 미래 시장을 확보한 것은 아니다. SFGT 응용시장이 넓지만 핵심특허에 대한 최적인 계획이 필요하다. * 복단대학교 마이크로전자대학이 2013년 4월에 ‘마이크로전자연구원’, ‘정보대학 마이크로전자학과’, ‘985 Micronanoelectronic 과학기술혁신플랫폼’으로 합병됐다. 장웨이 교수가 이끈 연구진은 주로 집적회로기술과 신형 반도체 소자 연구를 한다. 지난 5년 동안 연구진은 여러 성과를 Science, IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters 등에 발표하고 중국 및 미국에 특허권 30여 건을 획득했다. 본 논문의 제1저자는 2003년 뮌헨 공대(TUM)에서 공학박사학위(Summa Cum Laude)를 받고 2009년 복단대학교 연구그룹에 합류한 왕펑페이(王鹏飞) 교수이다. 정보출처 : http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2013/8/281131.shtm |
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