| SIMIT, 표준 Si집적회로기술로 150GHz 진동신호 실현 | ||
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 최근 중국과학원 상해 마이크로시스템 및 정보기술연구소(SIMIT) 사물인터넷(Internet of things)기술실험실이 65nm 표준 Si CMOS기술을 활용하여 단일 칩으로 100GHz이상 밀리미터-웨이브 신호를 생성했다. 프랑스 IEMN연구소(Institute of Electronics, Microelectronics and Nano-electronics)의 검증결과에 의하면, 중심주파수는 150GHz를 기록했다. CMOS부품 기술 프로세스라인의 선폭이 축소됨에 따라 CMOS부품의 차단주파수가 수백GHz 내지 1,000THz 정도까지 달할 수 있고, 이외에 Si기반 CMOS통합기술이 높은 통합정도, 저렴한 원가, 낮은 전력소비 및 베이스밴드모듈기술과 호환가능 등 특징을 지니기 때문에 표준 Si CMOS기술을 활용하여 원가가 낮고 난이도가 높은 단일 칩 밀리미터-웨이브 집적시스템을 설계하고 실현하는 연구는 국제에서 주목을 받고 있다. 2012년 6월에 TI, NXP 등 연구기관에서 완성한 220GHz Si CMOS 단일 칩 트랜시버시스템과 비교하면, 현재 중국내에 관련연구를 실시하고 있는 기관수가 아직 많지 않고 연구결과도 매우 적은 상황이다. 단일 칩 밀리미터-웨이브시스템은 높은 공간해상도 및 대형 대역폭, 단거리 무선 통신기능 외에 독특한 생물학적 효과를 지니고 있다. 이로써 단일 칩 밀리미터-웨이브기술은 사물인터넷기술의 핵심 중 하나로써 무선 센서네트워크 분야 및 의료전자 분야, 특히 MBAN 대상검출 분야에 많이 활용될 것으로 예상된다. SIMIT연구소 톈퉁(田彤, Tian Tong)연구원이 이끈 연구팀은 관련 기술 개발 및 응용기술연구를 실시하고 있으며, 연구결과는 휴대용 전자의료장비, 바디파라미터 센서, MBAN, 자동차네트워크, 동작 감지기술, 3D 무선 영상기술 및 작은 표적 탐지기술 분야에 응용될 것으로 기대된다. 정보출처 : http://www.cas.cn/ky/kyjz/201211/t20121127_3691203.shtml |
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