| 중국 첫 자주적 지적재산권을 가진 상변화메모리칩 개발 | ||
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중국과학원 상해마이크로시스템 및 정보기술연구소(SIMIT)는 중국 첫 자주적 지적재산권을 보유한 상변화메모리칩(PCRAM)을 개발하였다. 이로써 외국이 메모리칩 제조 기술을 장기적으로 독점한 상황은 변경되었다. 이 기술의 산업전망은 넓다. 전문가에 의하면, 전통적 메모리가 전하로 저장하는 방식과 비교하면 상변화메모리는 가역 상변화 재료 결정상태와 비결정상태의 전도성 차이에 의해 스토리지를 실현함으로 ‘원자배열을 제어하여 스토리지를 실현’한 신 메모리로 불린다. SIMIT 숭지탕(宋志棠)연구원 겸 PCRAM프로젝트 책임자에 의하면, PCRAM상변화메모리는 현재 반도체메모리 시장 주류인 DRAM, SRAM 및 FLASH 등 메모리의 장점을 조합한 것 뿐 아니고 축소성능 우월, 비휘발성, 긴 순환수명, 강한 데이터안정성, 낮은 소비전력 등 장점을 지니고 있음으로써 차세대 비휘발성 메모리 기술의 최적 방안 중 하나로 간주되었다. 현재, 인텔, 맥과이어스, 삼성 등 국제 유명 반도체업체들은 PCRAM산업화를 추진하는 데에 성과를 거뒀다. 맥과이어스는 NOR FLASH를 대체하는 제품을 보유하고 있고, 삼성은 최대 용량 512Mb의 PCRAM실험칩을 개발하고 양산하여 휴대전화 메모리카드에 응용하고 있다. SIMIT가 개발한 PCRAM실험칩의 메모리용은 8Mb이고, 8인치 실리콘 웨이퍼 상 모든 메모리칩의 스토리지 단위 수율은 99%이상이다. SIMIT는 음성연시를 통해 실헙칩이 읽기, 쓰지, 지우기 등 메모리기능을 완성한 것을 증명하였다. 2010년 연말까지 SIMIT는 PCRAM 상변화메모리를 통해 50여건 발명특허권을 획득하고 150여건 특허를 공개하였다. 관계 특허는 재료, 구조공정 및 설계부터 테스트까지 칩의 생산프로세스를 포함한다. 이 PCRAM칩은 NOR FLASH등 전통 메모리를 대체하여 휴전전화메모리, 무선주파수 인식 등 다양한 소비형 전자제품에 응용될 것으로 전망된다. 숭지탕연구원에 의하면, 현재 중국 반도체 메모리시장규모는 1,800억 위안에 육박하였으나 자주적 지적재산권을 갖춘 제조 기술이 장기적으로 결핍하기 때문에 중국 메모리 생산비용은 매우 비쌌다. 그는 “PCRAM 상변화메모리의 개발로 인해 중국 메모리칩 생산은 외국의 기술독점상황에서 벗어났다”고 말하였다. PCRAM상변화메모리를 올해 양산할 계획이며 “10년 동안 중국 메모리 자급자족율을 60%에 높일 계획”이라고 더 붙였다. 정보출처 : http://www.stdaily.com/kjrb/content/2011-04/18/content_295694.htm |
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