| 저장대학 양자점 발광다이오드 연구에서 세계적인 성과 | ||
|
||
 저장대학 화학학부의 펑샤오강(彭笑刚) 과제팀과 재료학부의 진이정(金一政) 과제팀은 협력연구를 통해 양자점 발광 다이오드(QLED) 연구에서 중요한 성과를 올렸다. 관련 연구성과는 “Nature”지에 발표되었다. 양자점을 전자발광재료로 하는 새로운 LED 부품의 성능은 현재 관련 문헌에서 보도된 기타 양자점 LED보다 훨씬 우수하다. 또한 이 신형의 소자는 간단한 용액가공을 통해 제조할 수 있다. LED는 차세대 조명과 디스플레이의 핵심부품으로서 업계의 인정을 받고 있다. GaN 에피택셜 성장 양자정의 LED 부품은 현재 시판되고 있는 유행상품이다. 하지만 GaN 에피택셜 성장 양자정은 초고진공, 초고순도 원료, 초밀도 전기에너지 소모 등의 조건을 필요로 한다. 따라서 디스플레이 산업이든 조명산업이든 모두 상대적으로 저렴한 청색광 LED와 다운변환 희토 형광체와 결합시키는 방법을 고안해냈다. 하지만 이러한 결합방법은 빛의 품질 저하와 색재현영역(colour gamut)이 수요를 완전히 충족시키지 못하는 등의 단점이 있다. GaN 양자정 LED와는 달리 유기발광다이오드(OLED) 소자는 발광 중심이 유기분자이기 때문에 보다 낮은 진공조건으로 제조할 수 있다. OLED의 경우, 소형 디스플레이에 널리 응용되고 있지만 OLED 발광 중심이 유기분자이기 때문에 열안정성과 화학적 안정성이 떨어져, 부품 가공요구가 각박하고 부품 수명이 기대치에 도달하지 못하는 등이 현안이다. 정보출처 : http://www.nature.com/nature/journal/vaop/ncurrent/pdf/nature13829.pdf 정보출처 : http://www.wokeji.com/explore/qykj/201411/t20141127_878391.shtml |
SEARCH
- 정책동향
- 이슈리포트
- 통계DB
- 통계DB