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중국과학기술대학 전혀 새로운 비선형 전자산란현상 발견
  • 등록일2014.10.10
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중국과학기술대학 허페이 마이크로스케일물질과학 국가실험실의 천샹쥔(陳向軍) 교수연구팀과 뤄이(羅毅) 교수는 협력연구를 통해 자체 제작한 SPEES(the scanning probe electron energy spectrometer)를 이용해 전혀 새로운 비선형 전자산란현상(Electron scattering phenomenon)을 발견하였다.

이 현상의 발견으로 획기적인 고체표면 단일분자탐지기술을 발전시킬 수 있는 것으로 예상된다. 관련 연구성과는 최신호 “Natural, physical”학술지에 발표되었으며, 논문 제1저자는 중국과기대 쉬춘카이(徐春凯) 부교수이다. Phys.org사이트와 “Scientist in Asia”저널은 이 연구성과에 대해 특별보도를 하였다.

전자에너지손실분광학은 재료화학구성을 분석하는 중요한 수단으로 전자의 비탄성 산란을 통해 원자 혹은 분자 정보를 획득할 수 있다. 하지만 일반적으로 전자산란의 경우 비탄성 전자가 극히 적은 비중을 차지하는 반면, 대부분의 전자는 에너지 손실이 없는 탄성 산란전자이다.

천샹쥔 교수 연구팀은 전자에너지분광기술과 스캐닝탐침기술을 결합시켜 SPEES를 자체로 제작하였고, 팁 전계(Tip field) 방사 전자빔(emission electron beam)과 흑연표면의 은나노구조와의 상호작용을 이용해 산란전자의 에너지스펙트럼을 측정하였다

정보출처 : http://www.nature.com/nphys/journal/v10/n10/abs/nphys3051.html

정보출처 : http://www.wokeji.com/explore/qykj/201411/t20141127_878391.shtml