| 상해마이크로시스템정보기술연구소의 반도체재료 연구 | ||
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 비스무트는 원소주기율표에서 방사성이 없는 원소로서 인접한 기타 중금속원소에 비해 독성이 가장 적어 “무공해” 원소로 인정받고 있다. 비스무트화합물 반도체재료에는 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체에 소량의 비스무트원자를 첨가하여 형성한 미량비스무트재료, Bi2Te3와 Bi2Se3 등 전통적인 열전도재료와 토폴로지절연체 신소재 및 BiFeO3를 대표로 하는 비스무트함유 산화물재료 등이 포함된다. 이러한 재료는 신기한 물리적 특성을 갖고 있어 Cd, Pb, Sb, Hg 등 유독성 중금속원소를 대체할 수 있는 정보, 에너지와 의학 분야에서 차세대 유망한 반도체 기능성재료로 각광받고 있으며, 국제적인 주목을 받고 있다. 2010년부터 비스무트화합물 물리, 재료 및 부품 관련 국제재료세미나가 매년 1회씩 정기적으로 개최되었다. 중국과학원 산하 상해마이크로시스템정보기술연구소 정보기능성재료 국가중점실험실의 왕수민(王庶民) 연구원이 이끄는 연구팀은 스웨덴 Chalmers 공과대학과 협력하여 미량비스무트화합물 재료와 Bi2Te3재료 애피텍셜 성장에서 획기적인 성과를 올렸다. 세계적으로 분자빔 애피텍셜법(MolecularBeamEpitaxy, MBE)을 이용해 처음으로 GaSbBi 단결정을 성장시켰고 GaAs기반의 InGaAsBi 양자우물 통신파대역의 1.3㎛ 실온 발광을 실현하였으며 Bi2Te3박막 실온 전이율 700cm2/Vs과 4.2 K 저온 전이율 7000cm2/Vs의 세계 기록을세웠다 정보출처 : http://www.wokeji.com/explore/qykj/201411/t20141127_878391.shtml |
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