| 중국과기대학 나노와이어 계면 도핑 방안 고안 | ||
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 최근 중국과학기술대학 마이크로스케일물질과학 국가실험실은 계면도핑제어연구에서 ZnO 단일 나노와이어의 우수한 광전기성능을 구현하는데 성공하였다고 밝혔다. 관련 연구성과는 5월 21에 출판된 “Adv. Mater.”에 발표되었다. ZnO 나노와이어는 완벽한 광학나노공동구조와 실온에서 다양한 멀티양자상태 결합작용으로 인해 응집물질물리와 양자광학분야의 중요한 연구대상일 뿐만 아니라 나노스케일 자외선 광자학(photonics)과 광전기부품의 후보재료이기도 하다. 나노스케일의 고품질 자외선 광원을 실현하기 위해서는 ZnO나노와이어가 동시에 고효율 대단(band edge) 발광과 우수한 전기학 특성을 갖추어야 하지만 기존의 바디 도핑법(Body doping method)으로는 위의 요구를 동시에 충족시키기 힘들다. 이는 우수한 전기학적 특성을 지닌 재료의 경우 도핑을 통해 농도가 충분히 높은 자유 캐리어를 공급할 수 있지만 도핑이 지나치면 대단(band edge) 방사 복합효율이 뚜렷이 떨어지기 때문이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 연구팀은 새로운 나노와이어 계면도핑 방안을 고안해냈고 CVD(화학기상증착) 재성장기술을 통해 “핵-계면-코어” 구조의 ZnO 나노와이어를 제작하였는데, 그 전도율은 4×104 S/m에 달하여 일반 나노와이어보다 한 자리수가 높으며 게다가대단 발광강도 역시 한자리수 높았다. 고해상도 특성 연구 결과, 계면 Zn도핑을 통해 고농도의 자유전자를 공급하면 이러한 자유전자는 계면구역에서 준2차원 전자개스(2DEG, two-dimensional electron gas)를 형성하기 때문에 우수한 전기학 특성을 나타낸다 정보출처 : http://www.wokeji.com/explore/qykj/201411/t20141127_878391.shtml |
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