| 상해마이크로시스템정보기술연구소, 실리콘광기술 연구진전 | ||
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 최근 중국과학원 상해마이크로시스템 및 정보기술연구소 정보기능성재료 국가중점실험실의 SOI과제팀은 광자학연구분야에서 세계적인 주목을 받는 성과를 올렸다. 연구논문은 5월 20일에 출판된「Physical Review Letters」[저자: 두쥔지에(杜駿杰), 왕시(王曦), 저우스창(鄒世昌), 간푸완(甘甫烷) 등]에 발표되었고, Editors’ Suggestion으로 선정되었다. 이 연구는 업계의 주목을 받고 있으며, 미국물리학회는 physics.aps.org에 특별보도도 하였다. 빔의 칩 제어는 중요한 이론적 의의와 실제 응용가치를 지닌다. 전통적인 광학이론에 의하면 빔이 만곡될 때 경로의 곡률반경은 파장보다 커야 한다. 일부 연구자들은 표면 플라즈몬, 높은 굴절률 입자배열 등의 근접장 방식을 이용하면 이러한 한계에서 벗어날 수 있다는 관점을 제기한 바 있다. 전파도중에 있는 빔의 경우에는 더욱 복잡한 구조로 이러한 서브파장의 빛을 편향시켜야 한다. 본 연구성과는 단일입자의 공명발생시 공명방식의 서로 다른 대칭성(그림1a와 1b)을 이용하여, 단지 몇 개의 입자로 구성된 단층배열을 형성하기에, 빔은 90도의 만곡(제로곡률반경)이 발생 가능하며(그림1d) 게다가 만곡된 빛과 입사광은 법선의 같은 측면에서 음의 굴절현상이 나타났다. SOI과제팀은 실리콘베이스 광자부품, 광학칩 집적기술, 실리콘칩 집적기술 등의 실리콘베이스 광자학연구분야에 주력해왔다. PRL에 발표한 연구성과는 고도로 집적된 실리콘베이스 광자학에서 중요하게 응용될 것으로 전망되며, 관련 연구에 전혀 새로운 광제어원리를 제공하였다. 이는 2010년 3월 과제팀이 표준CMOS공정플랫폼을 이용해 10Gbps 속도의 실리콘 광변조칩을 개발한데 이어 광전자학연구에서 올린 또 하나의 성과이다. 정보출처 : 상해마이크로시스템정보기술연구소 |
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